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多晶金刚石
热沉片

  CVD(Chemical Vapor Deposition )金刚石膜是采用化学气象沉积法制造。金刚石的室温热导率最高可达22W/(cm.K),是铜热导率的5倍,氮化铝热导率的6倍,氧化铍热导率的7倍多,可以传递电子器件产生的热量。而金刚石的电阻率高达1016Ω,是典型的绝缘体。因此,金刚石是最理想的热沉材料。
  主要用于高功率二极管陈列,高功率发光二极管(LED),射频功率晶体管,高功率、高频率电子(光电子)器件,多芯片模块大规模集成电路的散热片,半导体封装等。利用CVD金刚石散热片可使激光设备集成芯片的冷却能力提高30%~100%。

产品详情参数

性能参数

维氏硬度

8000kg/mm2-1000kg/mm2

密度

3.52cm

扬式模量

850GPa

热导率

1200W/mk--2000W/mk

化学稳定性

不溶于所有的酸和碱

断裂强度

350Mpa

热膨胀系数

1.0+/-0.1ppm/K(300K)

4.4+/-0.1ppm/K(1000K)

泊松比

0.1

平行度

<4</cm

厚度公差

+/-50m

生长面粗糙度

<100nm   Ra

形核面粗糙度

<30nm Ra

标准厚度

300m

 可提供尺寸:
 厚膜厚度:0.3-1.5mm
 抛光后最度:0.2-1.0mm
 特殊尺寸可根据客户要求生产。

主要散热材料及性能

材料

电学性能

热导率/【W/(m.K)】

热膨胀系数/(10-6K-1)

密度

/(g/cm3)

金刚石

绝缘体

2000

0.8~1.0

3.52

AI

导体

247

23

2.7

SiC/AI

导体

170~220

6.2~7.3

3.0

B/AI

导体

145

13~15

2.7

金刚石/AI

导体

375~670

5.07~12.5

<3.5

Cu

导体

398

17

8.9

Cu/Mo

导体

170~210

5.7~6.0

9.4~10.01

Cu/W

导体

150~205

6.5~8.3

15.7~17.6

石墨/Cu

导体

400

2.8~3.5

5.3

金刚石/Cu

导体

400~600

6.0~6.5

5.0~5.5

Au

导体

315

14

19.32

Mo

导体

142

4.9

10.22

W

导体

155

4.5

19.3

BeO

绝缘体

260

6

3

AlN

绝缘体

320

4.5

3.3

SiC

绝缘体

270

3.7

3.3